PD最大耗散功率：1.25WID最大漏源電流：3.6AV(BR)DSS漏源擊穿電壓：20VRDS(ON)Ω內阻：60MΩVRDS(ON)ld通態電流：3.6AVRDS(ON)柵極電壓：4.5VVGS(th)V開啟電壓：0.4~1VVGS(th)ld(μA)開啟電流：250μAGfs(min)S跨導：SGfs(min)VDS漏源電壓：VGfs(min)lo通態電流：A
立即咨詢一、應用場景
1. 電池管理系統：智能手機、筆記本電腦和便攜式設備等現代便攜式設備執行電池管理。對于電池管理系統中的電源控制和保護電路非常重要。
2. DC-DC 轉換器：該MOSFET通常用于DC-DC降壓和升壓轉換器，特別是便攜式設備和汽車電子產品，以提高快速開關速度。它提高了轉換器的轉換效率，滿足了對緊湊高效電源的需求。
3. 負載開關：SI2306廣泛應用于負載電路，適用于低壓電路中的負載管理和配電。此外，低上電電壓允許電路在適當的條件下開啟或關閉，使其可以用于低壓微控制器系統，以實現更節能的控制方案。
4. LED 驅動電路：由于LED驅動需要精確控制電流，SI2306的導通特性和良好的線性性能使其成為LED背光驅動電路的理想選擇。實現穩定的亮度控制和節能設計。
二、參數特點
- 導通電阻 (Rds(on))：柵極電壓為2.5V時，SI2306的典型導通電阻約為0.08Ω。該參數意味著即使在低壓情況下也能高效運行，有助于降低線路損耗，特別適合能源管理和開關應用。
- 柵極閾值電壓（Vgs(th)）：SI2306的柵極閾值電壓為1V至2.5V，即使在較低的柵極驅動電壓下也能可靠地導通。此功能為低壓應用提供了靈活性，并使其適合與低壓微控制器或邏輯電平接口直接操作。
- 最大漏源電流（Id）：最大漏源電流為2.8A，適合低至低壓應用。中等電流應用，例如移動設備和負載開關。在這種情況下，其功率處理能力足以滿足大多數負載要求。
- 漏源擊穿電壓 (Vds)：該MOSFET的最大漏源擊穿電壓為30V，適用于低壓或中壓電源和驅動應用。足夠用于高壓電路。低壓電池供電設備或小型電子產品。
- 開關速度：SI2306開關速度快，適用于DC-DC轉換器等高頻電路，允許在高頻下工作。
總之，其低導通電阻、適中的電流容量和低閾值電壓使SI2306成為低壓和中等功率應用的理想選擇，使其成為負載開關、LED驅動和許多其他情況的絕佳選擇。提供高效、靈活且易于控制的解決方案，適用于DC-DC轉換和電池管理。
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