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[常見問題解答]快速掌握TVS瞬態抑制二極管的基礎知識[ 2025-03-15 10:36 ]

TVS（Transient Voltage Suppressor）瞬態抑制二極管是一種專門用于抑制瞬態高壓沖擊的半導體器件，能夠有效保護敏感電子設備免受電壓瞬變的損害。在現代電子電路中，TVS二極管已廣泛應用于電源、通信、汽車電子以及數據傳輸線路等領域。一、TVS瞬態抑制二極管的工作原理TVS二極管的核心原理基于PN結的雪崩擊穿效應。當電路中出現瞬態高壓（如雷擊、靜電放電或電磁脈沖）時，TVS二極管會迅速進入導通狀態，提供低阻抗通路，將多余電流快速泄放到地，以避免后級電路遭受高壓損壞。一旦異常電壓消失，TVS二極管

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[常見問題解答]MOS管頻繁燒毀？揭秘5大元兇及有效防護對策[ 2025-03-13 14:22 ]

MOS管在電子電路中廣泛應用，但許多工程師都會遇到一個棘手問題——MOS管頻繁燒毀。這不僅影響設備的正常運行，還可能引發嚴重的安全隱患。那么，究竟是什么原因導致MOS管損壞？又該如何有效防護？1. 過壓擊穿：雪崩效應的致命威脅MOS管的漏源極（VDS）耐壓有一定限制，當電路中出現瞬態高壓（如浪涌或感性負載關斷時的電壓尖峰）超過其耐壓值時，可能會發生雪崩擊穿，導致局部過熱并燒毀MOS管。例如，在某共享充電寶的設計中，由于未添加瞬態電壓抑制器（TVS管），在用戶插拔充電器的瞬間，MOS管直接被3

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[常見問題解答]如何判斷瞬態抑制二極管的好壞？實用檢測方法解析[ 2025-03-05 11:14 ]

瞬態抑制二極管（Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS）在電子電路中起著關鍵的保護作用，能夠在短時間內抑制瞬態過壓，防止敏感元件受損。然而，TVS二極管在長期使用或遭受過高瞬態電壓沖擊后可能會失效。因此，如何準確判斷TVS二極管的好壞成為保障電子設備穩定運行的重要環節。一、TVS二極管的工作原理概述TVS二極管是一種基于雪崩擊穿效應工作的半導體器件。在正常情況下，它相當于一個高阻抗的開路狀態，但當電壓瞬態升高并超出其額定值時，TVS二極管會迅速導通，使瞬態能量通過自身泄放，將電壓鉗制在

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[常見問題解答]TVS瞬態抑制二極管如何有效抑制電壓瞬變[ 2025-02-08 10:33 ]

TVS瞬態抑制二極管（Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS）是一種關鍵的半導體器件，主要用于防止電子設備因瞬態電壓沖擊而受損。瞬態電壓可能來源于雷擊、電感負載開關或靜電放電等外部干擾。本文將詳細解析TVS瞬態抑制二極管如何有效抑制電壓瞬變，幫助讀者更好地理解其工作原理及實際應用價值。一、TVS瞬態抑制二極管的工作原理TVS二極管的核心工作原理是基于PN結的雪崩擊穿效應。當外部電壓超過擊穿電壓時，PN結迅速進入雪崩擊穿狀態，形成低阻抗通道，將瞬時高電壓迅速導向地面，保護敏感的電子元件免

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[常見問題解答]如何避免MOS管雪崩：實用技巧與方法[ 2024-09-21 11:10 ]

MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）在高壓和高電場的環境下容易發生雪崩擊穿，這是一種由載流子（電子或空穴）倍增引發的連鎖反應，導致電流急劇增加，可能致使器件損壞。為了防止這一現象，本文將探討一些有效的技巧和方法來避免MOS管雪崩，確保電路的穩定運行。1. 優化器件結構提升MOS管的耐壓能力是預防雪崩的首要措施。通過使用高質量的材料和優化器件的物理結構可以顯著提高其抗壓能力。例如，采用高介電常數材料作為柵絕緣層可以降低MOS管內部的電場強度，從而減輕電場對載流子的加速效應。同時，增加PN結的摻雜濃度能有效減小

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[常見問題解答]了解TVS管在穩壓場景中的應用限制[ 2024-08-17 15:47 ]

TVS管（瞬態電壓抑制二極管）是一種專為保護電子設備免受電壓突變傷害而設計的半導體器件。雖然它們在抑制瞬態過電壓方面表現出色，但在穩壓場景中的使用卻受到一定的限制。本文旨在深入探討TVS管在穩壓場景中的應用局限，幫助讀者更好地理解何時以及如何適當地使用這種器件。一、TVS管的基本功能與工作原理TVS管能夠在納秒級別內響應電壓突變，迅速將過高電壓限制在安全范圍內。它的工作原理基于PN結的反向擊穿特性，當電壓超過設定的擊穿電壓時，PN結會發生雪崩擊穿，形成一個低阻抗通道，迅速將過電壓引導至地線，從而保護電路不受損害。二

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[常見問題解答]ESD保護器件的原理介紹[ 2024-01-24 18:28 ]

ESD保護器件的原理介紹常用的ESD保護器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性，能夠瞬間進入低阻態，故具有良好的電流泄放能力，可以作為ESD防護器件。這類器件在電應力下的I-V特性示意圖見圖1。圖1 常用ESD器件的I-V曲線示意圖1. Diode在ESD設計中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應用情況，在VDD相對于VSS發生Positive ESD Pulse時，Diode發生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護內部電路不受

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[常見問題解答]關于MOS管燒毀的原因有哪些[ 2023-12-15 18:22 ]

關于MOS管燒毀的原因有哪些MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導體的雪崩擊穿）、過電流（鍵合線或者襯底熔化）、過熱（半導體材料由于高溫而分解）。更具體的故障包括柵極和管芯其余部分之前的極薄氧化物擊穿，這可能發生在相對于漏極或者源極的任何過量柵極電壓中，可能是在低至10V-15V 時發生，電路設計必須將其限制在安全水平。還有可能是功率過載，超過絕對最大額定值和散熱不足，都會導致MOS管發生故障。接下來就來看看所有可

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[常見問題解答]MOSFET場效應管電性能相關參數介紹[ 2023-06-25 15:27 ]

場效應管MOSFET電性能相關參數介紹本篇主要介紹電性能相關的參數。相關的參數如下表所示圖：電性能相關參數1、漏-源極擊穿電壓（BVDSS）BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發大量的電流在源極和漏極之間流動的電壓。BVDSS的含義雖然與VDS略有差異，但是在數值上一般是相同的。一般技術手冊中給出的VDSS為額定值，BVDSS給出的是最小值，所謂數值相同，是VDSS的額定值與BVDSS的最小值相同。VDS電壓偶爾超過VDSS，MOSFET會進入雪崩擊穿區，可能不會馬上損壞MOSFET，但是經常超過的

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[常見問題解答]場效應管雪崩特性參數解析[ 2023-06-15 18:05 ]

MOSFET雪崩特性參數解析一、EAS與EAR的定義EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。EAR重復雪崩能量, 標定了器件所能承受的反復雪崩擊穿能量。以低于Tj（max）為極限。二、雪崩能量、溫升、雪崩時間以及計算三、在什么的應用條件下要考慮雪

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[常見問題解答]MOSFET的失效機理介紹[ 2023-05-06 17:11 ]

MOSFET的失效機理介紹MOSFET的失效機理：dV/dt失效和雪崩失效本文的關鍵要點當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，會造成擊穿并引發雪崩擊穿。發生雪崩擊穿時，會流過大電流，存在MOSFET失效的危險。MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和熱量造成的失效。dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。dV/dt是單位時間內的電壓變化量，VDS的上升坡度越陡，越容易發生MOSFET的dV/dt失效問題。一

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[常見問題解答]電源設計說明之齊納二極管穩壓器介紹[ 2023-01-29 15:29 ]

雪崩和齊納效應正向偏置時，齊納二極管的行為類似于帶有 PN 結的普通硅二極管，允許電流從陽極流向陰極。然而，與在反向偏置時阻止電流流動的普通二極管不同，在達到某個反向電壓閾值時，齊納二極管開始以相反方向流動的電流導通。當施加到齊納二極管的反向電壓超過元件典型的限制閾值時，半導體耗盡區會發生稱為雪崩擊穿的過程，隨后二極管會產生電流以限制電壓的增加。在此過程中，自由電子與相鄰原子的碰撞會產生電荷，從而產生熱量并可能對器件造成不可逆的損壞。然而，如果二極管制造時具有非常薄且高度摻雜的耗盡區，則有可能產生反向電流，作為在結

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[行業資訊]SVF3N50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:09 ]

SVF3N50D/MJ,N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。先進的工藝及原胞結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動。

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[常見問題解答]TVS二極管選型幫助_參數特性應用詳解_注意事項[ 2021-08-17 16:46 ]

TVS二極管選型幫助_參數特性應用詳解_注意事項一、TVS二極管工作原理TVS(Transient Voltage Suppressors)二極管，即瞬態電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管，是采用半導體工藝制成的單個PN結或多個PN結集成的器件。TVS二極管有單向與雙向之分，單向TVS二極管一般應用于直流供電電路，雙向TVS二極管應用于電壓交變的電路。

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[常見問題解答]關于場效應MOS管的各項參數圖文解析 - 壹芯微[ 2021-08-14 15:26 ]

關于場效應MOS管的各項參數圖文解析 - 壹芯微最大額定參數最大額定參數，所有數值取得條件(Ta=25℃)VDSS最大漏-源電壓在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏 - 源未發生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據溫度的不同，實際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關于V(BR)DSS的詳細描述請參見靜電學特性。VGS最大柵源電壓VGS額定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓。設定該額定電壓的主要目的是防止電壓過高導致的柵氧化層損傷。實際柵氧化層可承受的電壓遠高于額定電壓，但是會隨制造工藝的不同而改變，因此保持V

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[常見問題解答]光電二極管與雪崩光電二極管之間的區別[ 2021-05-28 11:33 ]

光電二極管與雪崩光電二極管之間的區別本文主要是關于雪崩二極管的相關介紹，并將其與PIN光電二極管做比對，探究它倆之間的區別雪崩光電二極管PN結有單向導電性，正向電阻小，反向電阻很大。當反向電壓增大到一定數值時，反向電流突然增加。就是反向電擊穿。它分雪崩擊穿和齊納擊穿雪崩擊穿是PN結反向電壓增大到一數值時，載流子倍增就像雪崩一樣，增加得多而快。利用這個特性制作的二極管就是雪崩二極管雪崩擊穿是在電場作用下，載流子能量增大，不斷與晶體原子相碰，使共價鍵中的電子激發形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電

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[常見問題解答]MOSFET雪崩擊穿問題詳情分析[ 2020-12-04 17:02 ]

MOSFET雪崩擊穿問題詳情分析MOSFET雪崩擊穿問題分析功率MOSFET在電力電子設備中應用十分廣泛，因其故障而引起的電子設備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進一步推廣應用具有重要意義。在正向偏置工作時，由于功率MOSFET是多數載流子導電，通常被看成是不存在二次擊穿的器件。但事實上，當功率MOSFET反向偏置時，受電氣量變化（如漏源極電壓、電流變化）的作用，功率MOSFET內部載流子容易發生雪崩式倍增，因而發生雪崩擊穿現象。與雙極性晶體管的二次擊穿不同，MOSFET

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[常見問題解答]單向和雙向TVS管的對比區別[ 2020-11-05 15:53 ]

單向和雙向TVS管的對比區別單向的TVS管有正負極的區別，使用方法與穩壓管方法一致，雙向的TVS無正負極區別。單向TVS用表測試時和普通二極管特性接近，也是單向導通，正向導通約0.6V壓降，方向低壓時無窮大，超過其雪崩電壓才導通，雙向TVS相當于兩只特性一致的單向TVS復合，普通表測都不導通。下面小編為大家準備的單雙管的比例區別：一、用萬用表測：測量二極管的檔位，單向一邊通，雙向2邊都有電壓；測直流，雙向對稱，單向只有反向是雪崩擊穿特性，一般1mA下測。4.所有TVS管放大后會有根陰極線，它是用來區分二極管的正負

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[常見問題解答]穩壓二極管以及普通二極管有什么不同-為什么能實現穩壓輸[ 2020-10-29 17:06 ]

穩壓二極管以及普通二極管有什么不同-為什么能實現穩壓輸普通的二極管，像發光LED、整流二極管等工作于正向導通，如果是硅管的話導通電壓使0.7V左右，而鍺管導通只需要0.3V左右，每種不同的二極管導通的電壓不一樣，而且只允許單一的正向電流流過；但是反向加電壓時候，當電壓達到一定值時候發生齊納擊穿或者雪崩擊穿，我們平時經常用到的1N4148耐壓也就50V。如下圖，在發光二極管加以5V電壓，同時加一個限流電阻330歐姆。而穩壓二極管卻是工作于反向狀態，利用電壓在一定范圍內電流幾乎不變特點來實現穩壓，如下圖如果要實現穩壓

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[常見問題解答]齊納二極管在LED發光二極管方面的應用知識[ 2020-10-29 16:35 ]

齊納二極管在LED發光二極管方面的應用知識1、什么是齊納二極管？齊納二極管，我們經常稱為穩壓二極管, 這是一種在反向特性擊穿前具有高組態的半導體器件，但是在擊穿后會呈現低阻態，到達低阻態時候隨著電流的增加電壓卻維持在一個恒定值。我們稱此時的這個電壓齊納電壓或雪崩電壓。在摻雜濃度比較高的PN結中，很容易發生齊納擊穿而不是雪崩擊穿。這是因為齊納擊穿需要強電場，PN結的雜質濃度高，那么它的電荷密度也就相對大，電場強度就大，因此齊納擊穿多數發生在穩壓二極管當中，而普通的二極管擊穿一般都是雪崩擊穿。2、齊納二極管伏安特性

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