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      [常見問題解答]在開關電源中如何用MOS管設計驅動電路[ 2025-12-19 18:40 ]
      驅動電路設計要點選好MOSFET后,一個合適的驅動電路至關重要。驅動電路的核心任務是快速、干凈、可靠地對MOSFET的柵源電容進行充放電。驅動電路的核心要求快速開通與關斷:在開通瞬間,驅動電路應能提供足夠大的峰值電流,使柵極電壓迅速上升,以減少開關損耗。在關斷瞬間,驅動電路應能為柵極電荷提供一條低阻抗泄放通路,加速關斷。穩定導通:在MOSFET導通期間,驅動電壓需保持穩定,確保其處于完全導通狀態,避免因驅動電壓不足導致RDS(on)增大而發熱。防止振蕩:柵極回路中的寄生電感和電容易引起高頻振蕩。通常可在MOSFET
      http://www.renzan.cn/Article/zkgdyzrhym_1.html3星
      [常見問題解答]如何正確布置開關電源的輸入電容?PCB設計中必須掌握的關鍵細節[ 2025-04-17 11:12 ]
      在開關電源的設計實踐中,輸入電容的位置和連接方式對整個系統的性能有著直接影響。如果布置不當,不僅可能導致效率下降,還容易引起電磁干擾、瞬態響應遲緩等問題。因此,深入掌握輸入電容的PCB設計要點,是電源工程師在布板時不可忽視的一項基本功。一、縮短電容至功率開關的連線距離輸入電容的主要作用之一是為開關管提供穩定而迅速的電流支持。如果其與功率器件之間的連接路徑過長,寄生電感會在開關動作時產生尖峰電壓,影響電源的穩定性。最佳做法是將電容直接靠近MOSFET或電源芯片的VIN和GND引腳布放,確保電流通道短而寬,避免回路形成
      http://www.renzan.cn/Article/rhzqbzkgdy_1.html3星
      [常見問題解答]提升DC-DC轉換器性能的PCB布局實用指南[ 2025-03-21 11:44 ]
      在現代電子系統中,DC-DC轉換器已成為不可或缺的電源模塊。無論是在便攜式設備、工業控制,還是在通信系統中,其效率和穩定性都直接影響整機的性能。而在實際應用中,DC-DC轉換器的電路設計固然重要,但往往決定其性能上限的,是后期的PCB布局設計。合理的PCB布局不僅可以顯著提升轉換效率,還能有效降低噪聲、抑制EMI干擾、延長器件壽命。1. 明確電流路徑,優化環路布局一個關鍵原則是盡量縮短高電流路徑,尤其是輸入電容、開關管與電感之間的環路。這一環路中電流迅速切換,如果路徑過長、走線過細,將不可避免地產生較大的寄生電感,
      http://www.renzan.cn/Article/tsdcdczhqx_1.html3星
      [常見問題解答]逆導晶閘管是什么?其工作原理與特點解析[ 2025-02-26 11:17 ]
      逆導晶閘管是一種特殊的電力半導體器件,在工業控制、能源轉換和電力調節領域發揮著重要作用。由于其獨特的結構設計,使其能夠在特定電路環境下提供高效、穩定的電流控制。一、逆導晶閘管的基本概念逆導晶閘管(Reverse Conducting Thyristor,簡稱RCT),是一種集成了普通晶閘管與反并聯續流二極管的電力半導體器件。與傳統晶閘管相比,其最顯著的特點在于內部集成了一只反向二極管,從而具備雙向導通能力。這種集成方式的主要優勢是減少了外部電路對續流二極管的依賴,優化了電路設計,同時降低了寄生電感,提高了器件的工作
      http://www.renzan.cn/Article/ndjzgssmqg_1.html3星
      [常見問題解答]如何提升BJT在高頻應用中的效率與穩定性[ 2025-01-07 11:10 ]
      提高BJT在高頻應用中的效率與穩定性是電子技術中的一項關鍵挑戰。雙極晶體管(BJT)因其優異的電流放大特性而廣泛應用于許多電子電路中。BJT的性能直接影響電路的表現,尤其在高頻應用中尤為顯著。隨著低功耗和高穩定性需求的增長,提高BJT在高頻條件下的效率和穩定性變得尤為重要。本文將詳細探討BJT在高頻工作條件下的特性,并提出一系列優化策略來提升其在高頻應用中的性能。一、BJT在高頻應用中的挑戰在高頻應用中,BJT的性能常受到寄生電容、寄生電感和BJT本身開關速度等多種因素的限制。這些因素與其物理結構以及電路環境密切相
      http://www.renzan.cn/Article/rhtsbjtzgp_1.html3星
      [常見問題解答]MOS管TOLL封裝技術的優勢及其在現代電子設備中的應用[ 2025-01-02 12:19 ]
      TOLL封裝技術在電子領域中的應用隨著電子技術的飛速發展變得越來越重要。MOS(金屬氧化物半導體場效應晶體管)管因其性能要求的不斷提高以及傳統封裝方式的限制,已經成為重要的電子開關器件,廣泛應用于多個高科技領域。TOLL封裝技術(Tape Automated Bonding)是一種創新的無鉛封裝技術,但隨著對高效率、低功耗和高穩定性要求的提升,傳統的封裝方式已逐漸不能滿足這些需求。TOLL封裝技術在高速開關應用中表現出顯著優勢。一、TOLL封裝技術的優勢1. 低電阻、低寄生電感TOLL封裝的主要特點之一是顯著降低了
      http://www.renzan.cn/Article/mosgtollfz_1.html3星
      [常見問題解答]過孔寄生效應對PCB電路板信號完整性的影響分析[ 2024-12-03 12:00 ]
      在現代電子設備中,印刷電路板是負責復雜電路和信號傳輸的核心部件之一。隨著電路頻率不斷提高,PCB設計和布線要求越來越高,過孔數量已成為影響電路板信號完整性的關鍵因素之一。寄生電容、寄生電感等寄生效應會對信號傳輸質量產生重大影響,進而影響PCB的整體性能和可靠性。本文詳細分析了寄生過孔對PCB信號完整性的影響,并介紹了如何優化過孔設計以減少這些對PCB的影響。一、過孔的基本作用電路板中連接各個層的導電通道,通常由銅制成,用于傳輸電信號或電力。在理想的PCB設計中,過孔應該是透明的,雖然它們不會對傳輸造成任何干擾,但過
      http://www.renzan.cn/Article/gkjsxydpcb_1.html3星
      [常見問題解答]MOS管寄生效應:如何優化電路設計中的寄生參數[ 2024-11-07 12:07 ]
      MOS管(金屬氧化物半導體管)已成為現代電子設計中必不可少的核心元件。隨著集成電路技術的發展,MOS管的應用場景逐漸擴展到各種高頻、大功率電路。然而,在MOS管的實際工作過程中,往往忽視寄生效應對電路性能的影響,導致電路設計中出現穩定性和效率問題。本文介紹MOS管的寄生效應以及如何優化您的電路設計,減少這些寄生參數的影響。一、MOS管寄生效應概述MOS管寄生效應與電路布局、制造工藝、封裝方法等因素有關。你需要了解MOS管的基本電氣特性。這些寄生參數通常包括輸入電容、輸出電容、漏極電導率、寄生電感等。這些會導致信號傳
      http://www.renzan.cn/Article/mosgjsxyrh_1.html3星
      [常見問題解答]寄生振蕩在熱插拔控制器中的成因與原理詳解[ 2024-10-30 15:51 ]
      寄生振蕩問題是熱插拔控制器中相對復雜的現象,特別是在啟動和電壓或電流調節期間。在確保電路穩定性和使用N溝道應用(例如,可更換控制器、浪涌保護器、電子保險絲、MOSFET (NFET) 的理想二極管控制器)時,了解原因和原理非常重要。寄生振蕩通常會導致性能下降。電路的性能會下降,甚至影響整個系統的可靠性。本文詳細分析了寄生振蕩的原因和工作原理。一、什么是寄生振蕩寄生振蕩是一種不需要的高頻振蕩現象,通常由電路引起。它是由電路中無意形成的諧振路徑引起的。如果電路設計中寄生電感、電容和反饋路徑沒有得到適當控制,熱插拔控制器
      http://www.renzan.cn/Article/jszdzrcbkz_1.html3星
      [常見問題解答]深入解析:MOS管寄生參數如何影響電路性能[ 2024-10-11 16:24 ]
      MOS管在現代電子設計中起著至關重要的作用。無論是在電源管理、放大器設計還是高頻應用中,MOS管不僅受到其基本電學特性的影響,還受到寄生參數的影響。這些寄生參數與MOS管的內部結構、制造工藝以及電路布局密切相關,并對MOS管的性能、速度、增益和功耗產生重大影響。本文將詳細分析MOS管中的寄生參數類型及其對電路性能的影響,并討論如何減輕這些影響。一、寄生參數是指在實際應用中不可避免的附加參數。它們主要包括寄生電容、寄生電感和源極/漏極電感。具體的寄生參數如下:- 寄生電容:包括柵漏電容(Cgd)、柵源電容(Cgs)和
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      [常見問題解答]SiC器件開關性能受系統寄生參數影響的深入探討[ 2024-09-04 14:36 ]
      隨著碳化硅(SiC)技術的不斷成熟和推廣,其在高壓電力電子設備中的應用日益增加。SiC器件因其能在高溫、高壓和高頻率條件下工作而受到青睞。然而,系統內部的寄生參數,如寄生電容和寄生電感,對SiC器件的開關性能有著顯著影響。本文通過詳細分析,探討這些系統寄生參數是如何影響SiC器件的性能,尤其是在開關操作中的具體表現。一、寄生電感的影響在電力電子轉換系統中,寄生電感主要來源于電連接和布線。在SiC MOSFETs和二極管開關時,寄生電感可以引起顯著的電壓超調,從而對器件造成額外的電壓應力。當開關器件嘗試快速切換時,這
      http://www.renzan.cn/Article/sicqjkgxns_1.html3星
      [常見問題解答]提高 DC/DC 開關電源電磁兼容性的五個關鍵步驟[ 2024-05-14 10:12 ]
      DC/DC開關電源中的電磁兼容性設計策略DC/DC開關電源以其高效、體積小等優勢在現代電子產品中占據重要地位。然而,由于開關型器件的快速電壓和電流變化,電磁兼容性測試常遇到問題,影響開發周期和產品上市時間,特別是在復雜的工業環境中。一、噪聲源的分析與處理DC/DC開關電源的電磁兼容問題首要在于噪聲源的分析。開關電源中,開關頻率及其諧波是主要干擾源。此外,30 MHz至400 MHz的寬帶干擾頻譜常見于暗室測量,這是由于MOSFET輸出電容CDS、結電容和肖特基二極管的寄生電容及導體走線的寄生電感共同引起的高頻LC振
      http://www.renzan.cn/Article/tgdcdckgdy_1.html3星
      [常見問題解答]IGBT短路時的工作狀態介紹[ 2023-06-17 16:14 ]
      IGBT短路時的工作狀態介紹IGBT結合了電力場效應管和電力晶體管導通、關斷機制的優點,相比于其他大功率開關器件,IGBT的驅動功率小、開關速度快、沒有二次擊穿效應且易于并聯。大功率IGBT應用于各工業領域和新能源發電系統,隨著變流器容量和電壓等級的提高,變流器的可靠性成為不可忽視的關鍵問題,而作為其核心的IGBT的可靠性當然是重中之中。短路保護便是IGBT可靠性考量中的一個因素。在IGBT短路保護實驗中,由于IGBT特性和內部寄生電感的影響,IGBT關斷過程中,電流的變化率(di/dt)非常大,應采取措施來限制短
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      [常見問題解答]電源去耦的元件有哪些[ 2023-06-03 14:05 ]
      電源去耦的元件有哪些通常來說對于任意固定頻率,容值越大的電容阻抗越小。但由于電容本身也有寄生電感,而且往往容值越大寄生電感越大,在高頻處,電容最終都會顯現出感性,阻抗隨頻率的升高而升高。小電容的轉折點(下圖中的阻抗曲線的最低點)頻率值較之大電容更大。所以大電容對高頻電流的響應特性沒有小電容好。1.常用于電源去耦的元件組合(1)不同容值的電容組合:小容值的電容可以濾除電源線上的高頻噪聲,使電源更加干凈,并且負責提供負載的高頻電流需求。大電容同樣起到蓄流的作用,響應負載的低頻電流需求,濾除電源線上的低頻波動。下圖是不同
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      [常見問題解答]PDN網絡模型分析介紹 | 壹芯微[ 2022-08-31 19:08 ]
      最簡化模型分析最初的芯片功能相對來說比較簡單,運行的頻率也比較低,所以也很少出現電源完整性問題。當時的工程師也很少考慮電源完整性相關的設計。我們可以使用下圖所示的PDN網絡模型來分析早期比較簡單的芯片。可以看到早期的芯片,并沒有在封裝上設計去耦電容。在這個模型中,die包含寄生電阻R_{die}和寄生電容C_{die},封裝包含了寄生電感L_{pkg}。同時PCB上也沒有設計去耦電容以及電源平面。這是一個典型的平行諧振電路,并行諧振電路存在并行諧振點。下圖顯示了從上圖的測試點看到的阻抗曲線。通過如下公式我們可以計算
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      [常見問題解答]「MOS場效應管」驅動電路設計時快速開啟和關閉mos管 - 壹芯微[ 2021-08-11 10:38 ]
      「MOS場效應管」驅動電路設計時快速開啟和關閉mos管 - 壹芯微MOS管驅動電路設計,以下解析如何讓MOS管快速開啟和關閉。一般認為MOSFET(MOS場效應管管)是電壓驅動的,不需要驅動電流。然而,在MOS管的G極和S極之間有結電容存在,這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單。如下圖的3個電容為MOS管的結電容,電感為電路走線的寄生電感:如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話,MOS管開關速度越快越好因為開關時間越短,開關損耗越小,而在開關電源中開關損耗占總損耗的很大一部分,因此MOS管驅動電路的好壞直接決定
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      [常見問題解答]電容的介質及封裝影響[ 2021-01-25 17:08 ]
      電容的介質及封裝影響實際電容的特性最主要受封裝結構和介質材料的影響。從封裝形式式上看,有引線式和貼片式兩種,貼片電容是靠悍錫直接貼裝在PCB上的,其寄生電感要比引線電容小很多,所以更適合高頻電路使用。有時,同樣的數值、同樣的介質材料,但不同廠家的電容封裝大小卻可能不同,其基本判斷方法是:如果對于較大值的電容(大于10uF),一般封裝較小的比封裝較大的具有更小的ESL和ESR。但對于數值小的電容來說,就不能簡單地通過外形大小判斷,而是需要廠家提供的實際數據或實際測量的結果。根據介質不同,電容又可分為陶瓷、云母、紙質、
      http://www.renzan.cn/Article/drdjzjfzyx_1.html3星
      [常見問題解答]了解電容的擺放和布局[ 2021-01-25 17:04 ]
      了解電容的擺放和布局通過對以上電容特性的分析可知,高頻的小電容對瞬間電流的反應最快。例如,一塊IC附近有兩個電容,一個是2.2uF,另一個是0.01uF。當IC同步開關輸出時,瞬間提供電流的肯定是0.01uF的小電容,而2.2uF的電容則會過一段時間才響應,即便小電容離IC遠一些,只要它的寄生電感(包括引線和悍盤電感)比大電容小,那么它依然是瞬間電流的主要提供者。所以,高速設計中的關鍵就是高頻小電容的處理,要盡可能擺放得離芯片電源引腳近一些,以達到最佳的旁路效果。高速PCB布線中對電容處理的要求,簡單地說就是要降低
      http://www.renzan.cn/Article/ljdrdbfhbj_1.html3星
      [常見問題解答]MOS管知識解析|要如何降低MOS的失效率[ 2020-12-15 11:41 ]
      MOS管知識解析|要如何降低MOS的失效率如何以最小代價降低MOS的失效率如何降低MOS的失效率:在高端MOS的柵極驅動電路中,自舉電路因技術簡單、成本低廉得到了廣泛的應用。然而在實際應用中,MOS常莫名其妙的失效,有時還伴隨著驅動IC的損壞。如何解決?一個合適的電阻就可搞定問題?!締栴}分析】圖為典型的半橋自舉驅動電路,由于寄生電感的存在,在高端MOS關閉后,低端MOS的體二極管鉗位之前,寄生電感通過低端二極管進行續流,導致VS端產生負壓,且負壓的大小與寄生電感與成正比關系。該負壓會把驅動的電位拉到負電位,導致驅動
      http://www.renzan.cn/Article/mosgzsjxyr_1.html3星
      [常見問題解答]介紹插拔電路中MOSFET的要求(擊穿電壓、安全操作區域、擊穿特征)[ 2020-09-03 17:53 ]
      介紹插拔電路中MOSFET的要求(擊穿電壓、安全操作區域、擊穿特征)MOSFET即金氧半場效晶體管,是一種最常見的MOS管,也是構成數字集成電路的基本單元,在開關電源、馬達控制、汽車電子、LED燈具驅動等領域具有廣泛的應用。在當電源應用中,當負載突然斷開時,電路寄生電感元件上的大電流擺動會產生巨大的尖峰電壓,對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應用類似,此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時,MOSFET的作用并不是立即斷開輸入與輸出之間的連接,而是減輕那些具有破壞力的浪涌電流帶來的嚴
      http://www.renzan.cn/Article/jscbdlzmos_1.html3星

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