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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]為什么移相全橋出現(xiàn)占空比紊亂？常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)問(wèn)題全梳理[ 2025-04-16 11:03 ]

在中高功率變換電路中，移相全橋拓?fù)湟蚓邆涓咝?、低電磁干擾等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、電動(dòng)汽車(chē)充電、逆變器等場(chǎng)合。然而，在系統(tǒng)調(diào)試或長(zhǎng)期運(yùn)行過(guò)程中，工程師常會(huì)遇到一個(gè)棘手的問(wèn)題：占空比紊亂。此類現(xiàn)象不僅影響輸出波形的質(zhì)量，嚴(yán)重時(shí)還可能引發(fā)電路的熱失控或驅(qū)動(dòng)異常。究其原因，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的問(wèn)題往往是引發(fā)占空比異常的關(guān)鍵所在。一、驅(qū)動(dòng)邏輯信號(hào)失配在移相全橋電路中，四個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET或IGBT）需要按照嚴(yán)格的時(shí)序進(jìn)行控制。如果控制信號(hào)存在時(shí)間重疊或缺失，如上下橋臂未能保持足夠的死區(qū)時(shí)間，會(huì)造成橋臂短路，或者導(dǎo)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管在UPS電源逆變與穩(wěn)壓控制中的核心作用解析[ 2025-04-11 14:39 ]

UPS不間斷電源作為現(xiàn)代工業(yè)和信息化建設(shè)中的重要保障設(shè)備，其核心價(jià)值之一就在于持續(xù)、穩(wěn)定、干凈的電力輸出。而支撐UPS實(shí)現(xiàn)這些關(guān)鍵性能指標(biāo)的重要器件之一，便是MOS管。特別是在UPS的逆變系統(tǒng)和穩(wěn)壓控制電路中，MOS管幾乎承擔(dān)著不可替代的核心角色。了解MOS管在UPS中的具體作用與技術(shù)細(xì)節(jié)，有助于深入理解UPS電源的設(shè)計(jì)邏輯及性能保障。一、UPS電源中的逆變控制離不開(kāi)MOS管UPS電源的逆變部分，主要負(fù)責(zé)將直流電能（通常來(lái)自蓄電池或儲(chǔ)能裝置）轉(zhuǎn)化為交流電能，以滿足用電設(shè)備的需求。在這其中，MOS管作為主功率開(kāi)關(guān)器件

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOSFET與IGBT：選擇合適功率開(kāi)關(guān)器件的關(guān)鍵區(qū)別[ 2025-04-09 10:32 ]

在電力電子設(shè)計(jì)中，選擇合適的功率開(kāi)關(guān)器件對(duì)于系統(tǒng)的效率、成本和性能至關(guān)重要。兩種常見(jiàn)的功率開(kāi)關(guān)器件是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）。雖然這兩者都被廣泛應(yīng)用于各類電力系統(tǒng)中，但它們的工作原理、性能特點(diǎn)以及適用領(lǐng)域各有不同。1. 工作原理和結(jié)構(gòu)差異MOSFET和IGBT的主要區(qū)別首先體現(xiàn)在它們的工作原理和結(jié)構(gòu)上。MOSFET是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它利用電場(chǎng)來(lái)控制源極和漏極之間的電流。其工作原理簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)速度快，因此非常適合高頻應(yīng)用。MOSFET主要由一個(gè)絕緣的氧化層（Gate

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]深入解析單端反激式變換器的工作機(jī)理與應(yīng)用特點(diǎn)[ 2025-03-28 12:05 ]

在眾多開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲?，單端反激式變換器（Flyback Converter）因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉而被廣泛應(yīng)用于家電、適配器、工業(yè)控制等中小功率供電場(chǎng)景中。盡管它結(jié)構(gòu)看似簡(jiǎn)單，背后卻蘊(yùn)含著一套巧妙而精密的能量轉(zhuǎn)換機(jī)制。一、基本結(jié)構(gòu)概覽單端反激變換器通常由以下幾個(gè)核心組成部分構(gòu)成：整流橋、輸入濾波、功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET）、高頻變壓器、輸出整流二極管、輸出濾波電容、反饋控制回路等。它的最大特點(diǎn)在于變壓器的一次側(cè)與二次側(cè)不同時(shí)導(dǎo)通，能量的傳遞是“先儲(chǔ)后放”的過(guò)程。二、工作原理詳解在電源控制

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管選型指南：如何匹配電路需求？[ 2025-03-06 11:19 ]

在電子電路設(shè)計(jì)中，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是最常見(jiàn)的功率開(kāi)關(guān)器件之一。正確選擇MOS管不僅能提高電路的工作效率，還能提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。然而，由于市場(chǎng)上MOS管種類繁多，如何根據(jù)電路需求挑選合適的型號(hào)成為許多工程師面臨的難題。一、明確電路需求，確定選型方向在選擇MOS管之前，首先需要明確電路的具體需求，包括但不限于以下幾個(gè)方面：1. 電壓和電流要求：- 需要承受的最大工作電壓- 預(yù)期的工作電流范圍2

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]RCD吸收電路二極管選型指南：關(guān)鍵參數(shù)與注意事項(xiàng)[ 2025-02-24 10:12 ]

RCD吸收電路廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器以及其他高頻功率電子設(shè)備中，其主要作用是吸收電壓尖峰，保護(hù)功率開(kāi)關(guān)器件不受過(guò)電壓影響。在這一電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，二極管的選型至關(guān)重要，影響著電路的效率、可靠性及電磁兼容性（EMC）。1. 正向電壓降（Vf）定義：正向電壓降（Vf）指二極管在導(dǎo)通狀態(tài)下，正向電流通過(guò)其PN結(jié)時(shí)所產(chǎn)生的電壓降。影響：Vf值決定了二極管在導(dǎo)通過(guò)程中的功率損耗，Vf較大的二極管會(huì)增加功率損耗，降低電路整體效率。因此，在RCD吸收電路中，選用低Vf的二極管有助于減少熱量產(chǎn)生，提高能量轉(zhuǎn)換效率。選擇建議：-

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]躍升效率：多通道反激式開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的性能優(yōu)化策略[ 2024-05-28 09:45 ]

前言隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，單片開(kāi)關(guān)電源在中小功率領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。其高效率、小體積、集成度高等優(yōu)點(diǎn)使其成為精密穩(wěn)壓電源領(lǐng)域的重要組成部分。美國(guó)PI公司推出的TOPSwitch系列芯片是一種新型的三端離線式單片高頻開(kāi)關(guān)電源芯片，其開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100 kHz。本文將介紹一種基于TOP223Y芯片設(shè)計(jì)的單端反激式開(kāi)關(guān)電源方案，可輸出+5 V/3 A和+12 V/1 A。1. 設(shè)計(jì)原理開(kāi)關(guān)電源通過(guò)控制功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)閉來(lái)實(shí)現(xiàn)脈寬調(diào)制，從而穩(wěn)定輸出電壓。TOP223Y芯片具有控制極C、源極S、漏極D三個(gè)端口，其中僅漏極用于

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[技術(shù)文章]IRFR5305TRPBF 典型應(yīng)用電路[ 2024-05-16 14:49 ]

IRFR5305TRPBF是一款高性能場(chǎng)效應(yīng)管（FET），在各種電子設(shè)備中扮演著重要角色，其廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景和獨(dú)特的參數(shù)特點(diǎn)令人矚目。一、應(yīng)用場(chǎng)景：1. 電源管理：IRFR5305TRPBF被廣泛應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域，作為功率開(kāi)關(guān)器件，能夠有效控制電源的開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)，如在開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器等設(shè)備中。2. 驅(qū)動(dòng)器：由于其高效率和快速響應(yīng)特性，IRFR5305TRPBF常被選用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和LED驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中，提供穩(wěn)定可靠的輸出信號(hào)。3. 汽車(chē)電子：在汽車(chē)電子系統(tǒng)中，IRFR5305TRPBF扮演著重要角色

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]開(kāi)關(guān)電源如何抑制輸出紋波的方法介紹[ 2023-07-17 16:20 ]

開(kāi)關(guān)電源如何抑制輸出紋波的方法介紹開(kāi)關(guān)電源輸出紋波成分主要包含兩種：開(kāi)關(guān)紋波和工頻紋波。開(kāi)關(guān)紋波指的是MOS管或IGBT等功率開(kāi)關(guān)器件在開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的輸出電壓紋波。這種紋波一般可以通過(guò)調(diào)節(jié)輸出濾波器參數(shù)可以得以減小。工頻紋波指的是輸入交流電經(jīng)過(guò)整流濾波后還存在的低頻電壓紋波，其頻率與交流電網(wǎng)頻率成一定的倍數(shù)關(guān)系，橋式整流的低頻紋波頻率為交流頻率的2倍，半波整流為1倍交流頻率。將整流濾波后的直流電作為高頻DC-DC變換器的輸入，DC-DC變換器的輸出往往含有工頻紋波，這是很難靠輸出濾波器濾除的，因?yàn)楦哳lDC-DC

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]IGBT短路時(shí)的工作狀態(tài)介紹[ 2023-06-17 16:14 ]

IGBT短路時(shí)的工作狀態(tài)介紹IGBT結(jié)合了電力場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn)，相比于其他大功率開(kāi)關(guān)器件，IGBT的驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快、沒(méi)有二次擊穿效應(yīng)且易于并聯(lián)。大功率IGBT應(yīng)用于各工業(yè)領(lǐng)域和新能源發(fā)電系統(tǒng)，隨著變流器容量和電壓等級(jí)的提高，變流器的可靠性成為不可忽視的關(guān)鍵問(wèn)題，而作為其核心的IGBT的可靠性當(dāng)然是重中之中。短路保護(hù)便是IGBT可靠性考量中的一個(gè)因素。在IGBT短路保護(hù)實(shí)驗(yàn)中，由于IGBT特性和內(nèi)部寄生電感的影響，IGBT關(guān)斷過(guò)程中，電流的變化率(di/dt)非常大，應(yīng)采取措施來(lái)限制短

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)原理和應(yīng)用解析[ 2023-04-29 14:04 ]

雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)原理和應(yīng)用解析雙脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過(guò)程，驗(yàn)證短路保護(hù)。雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對(duì)電壓電流探頭要求和影響測(cè)試結(jié)果的因素等。為什么要進(jìn)行雙脈沖測(cè)試？在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者M(jìn)OSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實(shí)驗(yàn)的，而是直接在標(biāo)定的工況下跑看能否達(dá)到設(shè)計(jì)的功率。這樣的測(cè)試確實(shí)很必要，但是往往這樣看不出具體的開(kāi)關(guān)損耗，電壓或者電流的尖

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]整流橋故障的判定方法[ 2021-05-06 10:03 ]

整流橋故障的判定方法1. 判斷用萬(wàn)用表電阻擋即可判斷，對(duì)并聯(lián)的整流橋要松開(kāi)連接件，找到壞的那一個(gè)。2.損壞原因查找(1)器件本身質(zhì)量不好。(2)后級(jí)電路、逆變功率開(kāi)關(guān)器件損壞，導(dǎo)致整流橋流過(guò)短路電流而損壞。(3)電網(wǎng)電壓太高，電網(wǎng)遇雷擊和過(guò)電壓浪涌。電網(wǎng)內(nèi)阻小，過(guò)電壓保護(hù)的壓敏電阻已經(jīng)燒毀不起作用，導(dǎo)致全部過(guò)壓加到整流橋上。(4)變頻器與電網(wǎng)的電源變壓器太近，中間的線路阻抗很小，變頻器沒(méi)有安裝直流電抗器和輸入側(cè)交流電抗器，使整流橋處于電容濾波的高幅度尖脈沖電流的沖擊狀態(tài)下，致使整流橋過(guò)早損壞。(5)輸入缺相，使整流

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管知識(shí)普及|VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么[ 2020-12-11 14:11 ]

MOS管知識(shí)普及|VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么VMOS場(chǎng)效應(yīng)管詳解VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。?.1μA左右），還具有耐壓高（最高1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率

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